国产等离子清洗机 沛沅PLUTO系列
在半导体国产化提速、硅基芯片制程持续精细化的浪潮下，干式等离子清洗凭借低温环保、纳米级精密处理优势，成为晶圆研发与小批量试制的刚需工艺。
深耕等离子设备研发的上海沛沅仪器，依托科研团队技术积淀打造 PLUTO 全系列真空射频等离子清洗机，凭借模块化自研设计，成为国内高校实验室、半导体研发企业硅
基材料预处理优选设备。
沛沅仪器研发团队源自中科院、中科大、复旦等顶尖科研院所，超六成研发人员拥有硕博学历，深耕 13.56MHz 射频等离子核心技术十余年，打造 PLUTO-T、PLUTO-M、
PLUTO-MD 等多梯度机型，全面覆盖实验室研发、中小批量晶圆试制全场景。等离子清洗机设备腔体采用 316 不锈钢一体成型、内壁电解抛光工艺，搭配 6061 航空铝可
调电极，电极间距 20~75mm 自由调控，腔体内等离子分布均匀稳定，从根源规避硅片局部过刻、清洗不均问题。自研射频电源功率 0~200W 精准微调（精度 1W），支
持 Ar/O₂/H₂多路工艺气体配比，可灵活切换物理溅射与化学反应清洗模式，完美适配硅基全制程工艺需求。
面向硅基晶圆前道工艺，PLUTO 系列可高效清除硅片表面光刻残胶、研磨微颗粒与天然氧化层。氧气等离子快速剥离沟槽、微孔内残留光刻胶，替代传统湿法去胶，杜绝
药液腐蚀硅基底；氩氢混合等离子温和去除硅晶圆焊盘氧化层，有效降低倒装键合接触电阻，大幅提升 TSV 硅通孔、2.5D 先进封装良率。在 MEMS 硅基传感器、硅 - 硅
低温键合研发中，设备通过等离子活化在硅材表面生成羟基基团，提升基材表面能，解决异质键合空洞、脱粘难题，国内多所双一流高校微电子实验室均采用沛沅设备开展
硅基课题研发.
区别于进口设备高昂采购与维保成本，沛沅 PLUTO 系列等离子清洗机采用模块化 “基础主机 + 拓展组件” 架构，可按需加装 RIE 刻蚀、PECVD 薄膜沉积模块，一台设备
兼顾清洗、改性、微刻蚀多用途，大幅降低科研采购投入；4.3 寸工业触控屏搭载全自动程序存储功能，可预设数十套硅材专属工艺参数，新手一键启停，适配频繁换样的实
验室工况，售后依托上海本土区位实现快速上门调试、工艺优化。
伴随国产半导体从研发走向量产，硅基材料对表面洁净度要求持续升级。上海沛沅立足长三角产业腹地，持续迭代等离子工艺，以高性价比、全定制化的国产装备，助力国
内硅基半导体、微电子产业摆脱进口设备依赖，成为国产等离子清洗领域标杆品牌。
