在半导体微纳加工流程中，光刻胶剥离直接决定晶圆良率，传统湿法去胶易残留杂质、腐蚀精密结构，射频等离子干法去胶已成为实验室与中试产线主流工艺。上海沛沅仪器 PLUTO 系列射频等离子清洗机，针对性推出 PLUTO-M（4 寸）、PLUTO-F（6/8 寸）两款机型，覆盖小尺寸研发到大尺寸中试全场景，兼顾工艺精度与批量处理能力。
等离子清洗机去胶核心原理
设备采用 13.56MHz 标准射频电源，在密闭真空腔体内完成完整去胶流程，依靠化学反应 + 轻度物理轰击双重机制实现无残胶剥离。
等离子激发：腔体抽至高真空后通入氧气、氩气混合工艺气体，射频电场电离气体，生成氧自由基、高能离子、电子组成的低温冷等离子体，腔体温控低于 200℃，不会损伤硅片、化合物半导体等热敏基材。
化学氧化分解：氧自由基与光刻胶碳氢高分子发生氧化反应，将固态胶层转化为 CO₂、水蒸气等挥发性气体，由真空泵持续排出，从根源消除胶体残留。
微观物理剥离：加速离子形成微观软轰击，深入沟槽、通孔等细微结构，清除烘烤碳化顽固残胶，兼顾深结构清洗均匀性，无过度刻蚀风险。
对比湿法化学去胶，射频等离子去胶全程无酸碱废液、无离子污染，工艺参数可精准存储复现，适配高精度微纳器件加工需求。
等离子去胶核心工艺
彻底剥离光刻胶：去除曝光、刻蚀后各类正 / 负胶、厚胶、高温碳化残胶，满足图形转移后基底洁净要求。
清除有机副产物：消解刻蚀、沉积工序产生的碳基残渣，提升薄膜附着力，减少断线、漏电缺陷。
表面活化预处理：去胶同步完成晶圆表面改性，提升后续蒸镀、键合、氧化工艺结合力。
环保降本：无需有机溶剂，废液处理成本归零，单批次处理耗时短，长期运维成本更低。
上海沛沅等离子清洗机适配方案
PLUTO-M（适配 4 寸晶圆，实验室研发主力）
搭载 200W 连续可调射频电源，8L 不锈钢密闭腔体，专属 4 寸晶圆承载工位，平板气浴电极保障等离子均匀分布。体积紧凑、台式摆放，适配高校实验室、小型研发平台。
支持多段工艺配方存储，自动真空、进气、射频时序一体化控制，适合少量样品反复工艺调试，用于器件研发、小批量试样去胶、表面改性实验。
PLUTO-F（方形腔体，容量大）
旗舰 500W 大功率射频系统，14.5L 铝合金大容量腔体，可整盘装载 6 寸、8 寸标准晶圆。更高等离子密度，大幅提升厚胶、碳化残胶去除速率，均匀性满足中试批量一致
性要求。支持多路工艺气体精准配比，触摸屏内置多步自动化程序，兼顾研发迭代与小批量试产，覆盖第三代半导体、MEMS、功率芯片中试去胶需求。
两款机型均采用国产自研射频匹配模块，功率稳定无跳变，腔体耐腐蚀易清洁，售后本地化运维，解决进口设备周期长、维修成本高痛点。
应用总结
从 4 寸实验室研发到 6/8 寸中试量产，上海沛沅 PLUTO-M、PLUTO-F 射频等离子清洗机完整覆盖晶圆去胶场景。依托成熟射频等离子干法去胶原理，在保证无损、无残留、
高洁净度的基础上，区分尺寸需求精准匹配设备规格，为微电子、光电子、第三代半导体行业提供高性价比国产精密等离子处理方案。
