硅片上的光刻胶精准清除

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干法去胶的原理是利用被解离的，化学性质的活泼的氧离子和主要成分是C和H的光刻胶反应，形成气态的CO2，CO和H2O,然后被真空泵抽走，实现光刻胶的去除。

客户是希望准确的把握光刻胶的清除量，以保证在合适的位置保留相应的结构，为下步工作打好基础

我们采用的设备是小型桌面式实验室等离子清洗机

功率200W，频率13.56MHz

1. 桌面型，性能稳定、操作简便、使用成本极低、易于维护，高性价比。

2.小身材，大容量，有效处理面积大3.采用气浴电极，清洗效率高。

4.可选择40KHz或13.56MHz等离子发生器。       5.对各种几何形状、表面粗糙程度各异的金属、陶瓷、玻璃、硅片、塑料等物件表面进行超清洗和表面改性。