等离子清洗机主要功能有清洗、刻蚀以及表面处理,可以实现低成本环保运行。研究发现氧等离子体处理可以显著抑制氧空位并有效调控TFT的电学性能。
实验发现TFT的电流调制能力可以通过改变氧等离子体的功率和处理时间进行调节。
氧等离子体处理的SnO2薄膜晶体管的制备

1.氧化锡有源层的制备
先将硅(Si)片顺次用氢氟酸、丙酮、酒 精进行超声清洗,再用去离子水冲洗,最后使用高纯氮气枪吹干。
为了增强衬底的 亲水性,将Si衬底置于等离子清洗机中清洗,然后将Si衬底放在管式炉中,在一定的氧气流量下进行热退火处理。
对衬底进行等离子清洗,增加其亲水性。
2.薄膜后处理---氧等离子体处理
将沉积在衬底上热退火后的SnO2薄膜放置于等离子体清洗机中。打开氧气,在控制面板设定好时间及功率进OPT处理,分别处理不同时间和功率。

PLUTO-M等离子清洗机
等离子源频率13.56MHz(射频电源),同时具备物理清洗和化学清洗。
创新设计,可调整电极之间距离,调整等离子体强度和密度,极大提升处理能力和效率。
PLUTO-M等离子清洗机的真空腔体由316不锈钢制造,经过真空度检漏测试,保压性能优异!
电极有孔设计,可以使等离子体的浓度和强度增加,设备处理样品更高效;
样品处理面积可达125X125mm(最大处理面积可达200mm)
如有其它需求请详询销售人员。
结论
通过溶液法制备SnO2薄膜作为沟道层集成 TFT。制备的SnO2-TFT处于耗尽型工作状态且关态电流较大,但引入了热退火后OPT处理半导体层明显改善了SnO2-TFT的电学性能。
研究对比了OPT处理不同时间和功率对电学性能的影响,发现随着处理时间的增加,SnO2晶体管的载流子浓度下降,阈值电压不断正向偏移, 开关比增加,关态电流明显减小。