射频等离子清洗机中的电感耦合(ICP)和电容耦合(CCP)
电容耦合等离子体(CCP)
电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma,CCP)源是材料加工的关键等子体源之一,电容耦合放电在微电子工业中得到广泛应用,分为单频电容耦合等离子体源和双
频电容耦合等离子体源。对于单频CCP,其放电装置类似于平行板电容器。为了使电容器放电,必须加上一个相对较高振幅的电压,这将提供一个相对较大的电容。放电板与
单个射频源相连,等离子体中的电子通过射频电场获得能量。
CCP等离子体源一般由射频源和两个平行板所构成。其优势是不但有利于保证形成稳定大规模、均匀分布的等离子体,而且还有利于独立调节等离子体密度和离子轰击能量。
所以,电容耦合等离子体源以其独特的优势成为工业应用中最常用的等离子体源。


电感耦合等离子体(ICP)
电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)源广泛应用于等离子体处理工艺和等离子体源。ICP等离子体源的结构根据其几何形状可以分为圆筒形和平面型。


在等离子体处理放电中,如何在衬底表面实现高均匀度的等离子体是非常重要的。在各种高密度的等离子体源中,ICP 源更容易扩展到较大尺寸。
模式转换是 ICP 源最有前途的特性之一,它与等离子体的耦合特性有关。电容(E)模式在低功率时产生强静电耦合,感应(H)模式在高功率时产生电磁耦合。特别是在E模式
(静电耦合)和 H(电磁耦合)模式之间的过渡区,强烈地依赖于等离子体阻抗和几何参数,如放电体积、感应线圈的配置,以及传输到等离子体的功率。在 ICP 源的情况下,
当 ICP 源天线的输入功率较低时,会与等离子体产生容性耦合,其功率传输效率较低,阻抗匹配不稳定,当 ICP 源天线的输入功率较高时,会与等离子体发生电感耦合。

PLUTO等离子清洗机