等离子清洗工艺在芯片键合前的应用

物理等离子体清洗过程中，氩气产生的离子携带能量轰击工件表面，剥离掉表面无机污染物。

氧离子在反应仓内与有机污染物反应，生成二氧化碳和水。清洗速度和更多的清洗选择性是化学等离子清洗的优点。

氢离子发生还原反应，去除工件表面氧化物。出于氢气的安全性考虑，推荐使用氢氩混合气体的等离子清洗工艺。

总体来说，最短的工艺时间是客户的基本要求，以便能够达到最大产能。但是工艺时间不是单一的因素，应该与射频功率、仓体压力和气体类型等参数相匹配，达到动态平衡。

反应仓内的压力是工艺气体流量、腔体泄露率和真空泵抽速的动态平衡。

物理等离子清洗工艺模式采用的仓体压力较小。物理等离子清洗工艺要求被激发的离子轰击工件表面。

化学等离子清洗工艺产生的等离子体与工件表面产生化学反应，所以离子数越多越能增加清洗的能力，导致需要使用较高的仓体压力。

射频功率的大小会影响等离子体的清洗效果， 从而影响封装的可靠性。加大等离子体射频功率是增加等离子的离子能量来加强清洗强度。离子能量是活性反应离子进行物理工作的能力。射频功率的设置主要与清洗时间达到动态平衡，增加射频功率可以适当降低处理时间，但会导致反应仓体内温度略有升高，所以有必要考虑清洗时间和射频功率这两个工艺参数。

主流的等离子清洗机有三种类型的电极载物板，用作设备的阳极、阴极以及悬浮极。根据工件的不同，调节电极载物板能够产生两种模式的等离子体，命名为直接等离子体模式和顺流等离子体模式。