经过产业验证的专业设计为Plasma Perform的工艺表现提供了强有力的保证
l 上、下电极温度快速可控，为工艺过程提供稳定的温度环境。
l 多层匀气系统及中心抽气模式，保证样品表面气体分布更加均匀，提升工艺均匀性。
l PECVD工艺过程的双频模式可以实现沉积薄膜的应力可调。
l 下电极两种温区选择（150度到400度与150度到700度），为您的工艺提供不同的选择。
l RIE工艺过程的解耦双频（60MHz/2MHz)的选择刻蚀刻蚀工艺独立控制等离子体能量与等离子体密度，从而有效扩宽工艺窗口。
l 刻蚀过程等离子体约束机构可以有效提高射频能量利用率，提升刻蚀速率与稳定性。
射频诱导线圈的引入，为整个系统提供一个更加稳定的射频回路与环境，从而使得整个系统工艺过程稳定。
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