ICP干法等离子刻蚀机

● 4/6/8英寸兼容，单片晶圆真空传输系统

● 低成本高可靠，适合研发及小规模生产

● 设备结构简单，外形小

● 操作简便、便于自动控制、适合大面积基片刻蚀

● 优异的刻蚀均匀性，刻蚀速率快

●满足半导体标准的配方驱动及管理软件控制系统

● 选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小

● 断面轮廓可控性高，刻蚀表面平整光滑

晶圆尺寸：4/6/8英寸兼容

适用工艺：等离子体刻蚀

适用材料：SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy，etc.

适用领域：化合物半导体，MEMS、功率器件、科研等领域